德国芯片巨头英飞凌9月12日向第一财经记者暗示，该公司一经顺利建树出300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆时刻。英飞凌预测夜必撸，到2030年末，GaN阛阓限制将达到数十亿好意思元。

这是氮化镓半导体时刻的最新冲突。GaN是芯片制造中硅的替代品，GaN芯片因其收尾、速率、分量轻以及在高和善高压条目下责任的智商而受到追捧。这些芯片可用于札记本电脑、智妙手机和电动汽车等鸿沟。

英飞凌称，该公司一经未必在300 mm晶圆上分娩GaN芯片。相较于上一代200 mm晶圆，300 mm晶圆芯片分娩不仅在时刻上更先进，每片晶圆上的芯片数目增多了2.3倍，收尾也显贵提高。

手脚新兴时刻，氮化镓半导体的成本亦然业内风物的。英飞凌暗示，300 mm GaN的成本将渐渐与同级的硅成本握平，这收货于现存的300 mm硅制造产线。

\"300 mm硅分娩线相称合乎分娩可靠的GaN时刻，未必最大化GaN分娩成本收尾，有助于完了GaN与硅的成本在吞并级别接近。\"英飞凌暗示。

该公司首席试验官Jochen Hanebeck瞻望，异日几年GaN芯片的阛阓价钱将接近硅芯片的价钱，阛阓限制将达到数十亿好意思元。

英飞凌将在本年11月举行的慕尼黑电子展上向公众展示首批300 mm GaN晶圆。

基于GaN的功率半导体正在工业、汽车、消耗、盘算推算和通讯诳骗中快速普及，该时刻在AI就业器、东谈主形机器东谈主等鸿沟的需求增长显贵。除了英飞凌以外，现时，包括德州仪器、STM在内的海外芯片巨头，以及英诺赛科等中国厂商齐在布局。

近日，GaN头部企业好意思国宜普公司（EPC）辘集首创东谈主兼首席试验官Alex Lidow在收受第一财经记者专访时称，GaN和碳化硅仍处于相称早期的阶段，而中国事该时刻最伏击的阛阓之一。

Lidow向第一财经记者阐发注解称，与硅比拟，GaN时刻的一大上风是不错构建更袖珍化的电子器件，其中激光雷达即是一个典型的例子。\"激光雷达是最早使用GaN进行批量分娩的鸿沟之一，今天统统的激光雷达齐使用GaN时刻。\"他说谈，\"GaN比硅快得多，功能也更宽敞，速率更快。\"

除了激光雷达以外，Lidow暗示，卫星亦然GaN的伏击诳骗鸿沟。\"GaN在天外中的施展相称好。\"他说谈。此外，AI就业器也越来越多地使用GaN时刻。

近期，Lidow在进入在深圳举办的亚洲功率电子器件产业链的海外展会PCIM Asia时着重到，东谈主工智能时刻在中国的进展速即，尤其是在东谈主形机器东谈主鸿沟，中国无数的企业齐在进行布局。

\"在机器东谈主的大脑中使用的处罚器与在AI就业器中使用的处罚器疏通。\"Lidow暗示，\"这些机器东谈主必须未必快速念念考材干快速活动，在这一鸿沟，GaN异日将会冉冉替代硅的诳骗。\"

中国事EPC最大的阛阓之一。Lidow暗示，中国阛阓的限制与好意思国阛阓限制相称。该公司正在扩大与中国伙伴的配合鸿沟。

\"我合计中国阛阓是现在GaN时刻早期接管最佳的阛阓，尤其是在自动驾驶汽车等鸿沟，中国如实走在了前哨。\"他告诉第一财经记者，\"EPC为的确统统中国激光雷达制造商提供居品，而况中国前两大制造商的限制比群众统统其他激光雷达公司的总数更大。\"

在谈及GaN时刻成本时，Lidow暗示，2015年EPC公司就冲突了成本陡立。在100V及以上的居品中，GaN较硅的成本更低。

关于半导体行业异日的发展趋势，Lidow预测，GaN异日将取代统统MOSFET（金属氧化物半导体场效晶体管），而碳化硅异日将取代统统IGBT（绝缘栅双极晶体管）。\"这还需要恭候好多年材干完了，但至少在今天，我合计莫得新时刻不错取代GaN或碳化硅。\"他暗示。